Si4825DY
vishay siliconix
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文件 号码: 71291
s-10679—rev. 一个, 31-jul-00
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1
p沟道 30-v (d-s) 场效应晶体管
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
–30
0.014 @ v
gs
= –10 v
–11.5
–30
0.022 @ v
gs
= –4.5 v –9.2
sd
s
d
sd
g
d
所以-8
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2
3
4
1
SSS
g
d dd d
p沟道 场效应晶体管
参数 符号 10 秒 稳定 州 单位
漏源 电压 v
ds
–30
v
栅极-源极 电压 v
gs
25
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
–11.5
–8.1
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 150 c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
–9.2 –6.5
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
–50
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
–2.5 –1.3
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
3.0 1.5
wmaximum 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
1.9 0.9
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 交叉点到环境
一个
t
10 秒
右
thja
32 42
c/w
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
右
thja
68 85
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州 右
thJF
15 18
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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