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资料编号:407524
 
资料名称:IRG4BC20KDS
 
文件大小: 222.96K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
参数 最大值 单位
v
消费电子展
收集器-至-发射器 电压 600 v
c
@ t
c
= 25°c 连续 收集器 电流 16
c
@ t
c
= 100°c 连续 收集器 电流 9.0
厘米
脉冲 收集器 电流
32 一个
LM
夹紧 归纳 荷载 电流
32
f
@ t
c
= 100°c 二极管 连续 前进 电流 7.0
调频
二极管 最大值 前进 电流 32
t
sc
v
通用电气
闸门-至-发射器 电压 ± 20 v
p
d
@ t
c
= 25°c 最大值 电源 耗散 60
p
d
@ t
c
= 100°c 最大值 电源 耗散 24
t
j
操作 接合点 和 -55 至 +150
t
stg
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 用于 10 秒. 300 (0.063 入点. (1.6mm) 从 案例)
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉. 10 lbf•in (1.1 n•m)
irg4bc20kd-s
绝缘 闸门 双极性 晶体管 与
超快 软 回收 二极管
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特点
e?
g
n通道
c
v
消费电子展
= 600v
v
ce(开启) 典型值
=
2.27v
@V
通用电气
= 15v, 我
c
= 9.0a
短 电路 额定
超快 igbt
4/24/2000
短 电路 额定 超快: 优化 用于
高 操作 频率 >5.0 khz , 和 短
电路 额定 至 10µs @ 125
°
c, v
通用电气
= 15v
世代 4 igbt 设计 提供 更紧
参数 分布 和 较高 效率 比
上一个 世代
igbt 一氧化碳-已打包 与 hexfred
tm
超快,
超-软-回收 反平行 二极管 用于 使用 入点
桥梁 配置
行业 标准 d
2
pak 包装
好处
最新 世代 4 igbts 报价 最高 电源
密度 电机 控件 可能.
HEXFRED
tm
二极管 优化 用于 业绩
与 igbts. 最小化 回收 特性
减少 噪声, emi 和 开关 损失.
这个 零件 替换 这 irgbc20kd2-s 和
irgbc20md2-s 产品.
用于 提示 请参见 设计 小费 97003.
pd -91598a
绝对 最大值 额定值
w
2
d pak
参数 典型值 最大值 单位
θ
jc
连接至壳体 - igbt
–––
2.1
θ
jc
连接至壳体 - 二极管 2.5
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.5
––– °
c/w
θ
ja
交叉点到环境 ( pcb 已安装,稳定-州)
–––
40
重量 重量 1.44
–––
g
热 电阻
www.irf.com 1
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