IRG4BC20KDS_集成电路资料查询网

irg4bc20kd-s
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在)
—
34 51 I
C
= 9.0a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在)
—
4.9 7.4 nC V
CC
= 400v 看 图.8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在)
—
14 21 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
54
—
t
r
上升 时间
—
34
—
T
J
= 25
°
C
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
180 270 I
C
= 9.0a, v
CC
= 480v
t
f
下降 时间
—
72 110 V
GE
= 15v, r
G
= 50
Ω
E
在
转变-在 切换 丧失
—
0.34
—
活力 losses 包含 "tail"
E
止
转变-止 切换 丧失
—
0.30
—
mJ 和 二极管 反转 恢复
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.64 0.96 看 图. 9,10,14
t
sc
短的 电路 承受 时间 10
——
µs V
CC
= 360v, t
J
= 125
°
C
V
GE
= 15v, r
G
= 50
Ω
, v
CPK
< 500v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
—
51
—
T
J
= 150
°
c, 看 图. 11,14
t
r
上升 时间
—
37
—
I
C
= 9.0a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
—
220
—
V
GE
= 15v, r
G
= 50
Ω
t
f
下降 时间
—
160
—
活力 losses 包含 "tail"
E
ts
总的 切换 丧失
—
0.85
—
mJ 和 二极管 反转 恢复
L
E
内部的 发射级 电感
—
7.5
—
nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容
—
450
—
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容
—
61
—
pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容
—
14
—ƒ
= 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
—
37 55 ns T
J
= 25
°
c    看 图.
—
55 90 T
J
= 125
°
c        14            i
F
= 8.0a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流
—
3.5 5.0 一个 T
J
= 25
°
c    看 图.
—
4.5 8.0 T
J
= 125
°
c        15          v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
—
65 138 nC T
J
= 25
°
c     看 图.
—
124 360 T
J
= 125
°
c         16        di/dt = 200aµs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复
—
240
—
一个/µs T
J
= 25
°
c     看 图.
在 t
b
—
210
—
T
J
= 125
°
c        17
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压

600
——
VV
GE
= 0v, i
C
= 250µa
∆
V
(br)ces
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
—
0.49
—
v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压
—
2.27 2.8 I
C
= 9.0a V
GE
= 15v
—
3.01
—
VI
C
= 16a 看 图. 2, 5
—
2.43
—
I
C
= 9.0a, t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0
—
6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
∆
V
ge(th)
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压
—
-10
—
mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导

2.9 4.3
—
SV
CE
= 100v, i
C
= 9.0a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流
——
250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
——
1000 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 漏出
—
1.4 1.7 V I
C
= 8.0a 看 图. 13
—
1.3 1.6 I
C
= 8.0a, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流
——
±100 nA V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
ns

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irg4bc20kd-s 2 www.irf.com 参数最小值典型值最大值单位情况 Q g 总的门承担 (转变-在) — 34 51 I C = 9.0a Q ge 门 - 发射级承担 (转变-在) — 4.9 7.4 nC V CC = 400v 看图.8 Q gc 门 - 集电级承担 (转变-在) — 14 21 V GE = 15v t d(在) 转变-在延迟时间 — 54 — t r 上升时间 — 34 — T J = 25 ° C t d(止) 转变-止延迟时间 — 180 270 I C = 9.0a, v CC = 480v t f 下降时间 — 72 110 V GE = 15v, r G = 50 Ω E 在转变-在切换丧失 — 0.34 — 活力 losses 包含 "tail" E 止转变-止切换丧失 — 0.30 — mJ 和二极管反转恢复 E ts 总的切换丧失 — 0.64 0.96 看图. 9,10,14 t sc 短的电路承受时间 10 —— µs V CC = 360v, t J = 125 ° C V GE = 15v, r G = 50 Ω , v CPK < 500v t d(在) 转变-在延迟时间 — 51 — T J = 150 ° c, 看图. 11,14 t r 上升时间 — 37 — I C = 9.0a, v CC = 480v t d(止) 转变-止延迟时间 — 220 — V GE = 15v, r G = 50 Ω t f 下降时间 — 160 — 活力 losses 包含 "tail" E ts 总的切换丧失 — 0.85 — mJ 和二极管反转恢复 L E 内部的发射级电感 — 7.5 — nH 量过的 5mm 从包装 C ies 输入电容 — 450 — V GE = 0v C oes 输出电容 — 61 — pF V CC = 30v 看图. 7 C res 反转转移电容 — 14 —ƒ = 1.0mhz t rr 二极管反转恢复时间 — 37 55 ns T J = 25 ° c 看图. — 55 90 T J = 125 ° c 14 i F = 8.0a I rr 二极管顶峰反转恢复电流 — 3.5 5.0 一个 T J = 25 ° c 看图. — 4.5 8.0 T J = 125 ° c 15 v R = 200v Q rr 二极管反转恢复承担 — 65 138 nC T J = 25 ° c 看图. — 124 360 T J = 125 ° c 16 di/dt = 200aµs di (rec)m /dt 二极管顶峰比率的下降的恢复 — 240 — 一个/µs T J = 25 ° c 看图. 在 t b — 210 — T J = 125 ° c 17 参数最小值典型值最大值单位情况 V (br)ces 集电级-至-发射级损坏电压  600 —— VV GE = 0v, i C = 250µa ∆ V (br)ces / ∆ T J 温度 coeff. 的损坏电压 — 0.49 — v/ ° CV GE = 0v, i C = 1.0ma V ce(在) 集电级-至-发射级饱和电压 — 2.27 2.8 I C = 9.0a V GE = 15v — 3.01 — VI C = 16a 看图. 2, 5 — 2.43 — I C = 9.0a, t J = 150 ° C V ge(th) 门门槛电压 3.0 — 6.0 V CE = v GE , i C = 250µa ∆ V ge(th) / ∆ T J 温度 coeff. 的门槛电压 — -10 — mv/ ° CV CE = v GE , i C = 250µa g fe 向前跨导  2.9 4.3 — SV CE = 100v, i C = 9.0a I CES 零门电压集电级电流 —— 250 µA V GE = 0v, v CE = 600v —— 1000 V GE = 0v, v CE = 600v, t J = 150 ° C V FM 二极管向前电压漏出 — 1.4 1.7 V I C = 8.0a 看图. 13 — 1.3 1.6 I C = 8.0a, t J = 150 ° C I GES 门-至-发射级泄漏电流 —— ±100 nA V GE = ±20v 切换特性 @ t J = 25°c (除非否则指定) 电的特性 @ t J = 25°c (除非否则指定) ns ns

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