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资料编号:408082
 
资料名称:IRLR7843
 
文件大小: 202.28K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com 1
12/30/03
IRLR7843
IRLU7843
HEXFET
电源 场效应晶体管
备注

通过
是 开启 第页 11
应用程序
好处
很 低 rds(开启) 在 4.5v v
gs
超-低 闸门 阻抗
完全 表征 雪崩 电压
和 电流
高 频率 同步 降压
转换器 用于 计算机 处理器 电源
高 频率 隔离 直流-直流
用于 电信 和 工业 使用
d-pak
IRLR7843
我-pak
IRLU7843
绝对 最大值 额定值
参数 单位
v
ds
漏源 电压 v
v
gs
栅极到源极 电压
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
d
@ t
c
= 100°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
一个
dm
脉冲 排水管 电流
p
d
@T
c
= 25°c
最大值 电源 耗散
g
w
p
d
@T
c
= 100°c
最大值 电源 耗散
g
线性 降额 因素 w/°c
t
j
操作 接合点 和 °C
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.05
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)
––– 50 °c/w
θ
ja
交叉点到环境 ––– 110
140
最大值
161
f
113
f
620
± 20
30
0.95
71
300 (1.6mm 从 案例)
-55 至 + 175
v
DSS
ds(开启)
最大值
Qg
30V
3.3m
:
34nC

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