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符号 测试一下 条件 最大值 额定值
v
DSS
t
j
= 25
c 至 150
c 200 v
v
DGR
t
j
= 25
c 至 150
c; 右
gs
= 1 m
200 v
v
gs
连续
20 v
v
GSM
瞬态
30 v
我
D25
t
c
= 25
c (场效应晶体管 芯片 能力) 120 一个
我
D104
t
c
= 104
c (外部 铅 能力) 76 一个
我
dm
t
c
= 25
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
480 一个
我
ar
t
c
= 25
c 120 一个
e?
ar
t
c
= 25
C64mJ
e?
作为
t
c
= 25
C3J
设计验证/dt
我
s
我
dm
, di/dt
100 一个/
s, v
dd
v
DSS
5 v/ns
t
j
150
c, 右
g
= 2
p
d
t
c
= 25
c 560 w
t
j
-55 ... +150
c
t
JM
150
c
t
stg
-55 ... +150
c
t
l
1.6 mm (0.063 入点.) 从 案例 用于 10 s 300
c
m
d
安装 扭矩 至-264 0.9/6nm/磅.入点.
重量
加号 247 6 g
至-264 10 g
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 3ma 200 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 8ma 2.0 4.0 v
我
GSS
v
gs
=
20 v, v
ds
= 0
200 不适用
我
DSS
v
ds
= v
DSS
t
j
= 25
c 100
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
c2 ma
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 • 我
D25
17 m
备注 1
单独 场效应晶体管 模具
特点
• 国际 标准 软件包
• 低 右
ds (开启)
HDMOS
tm
流程
• 坚固耐用 多晶硅 闸门 细胞 结构
• 松开 归纳 开关 (uis)
额定
• 低 包装 电感
- 容易 至 驱动器 和 至 保护
• 快 内在的 整流器
应用程序
• 直流-直流 转换器
• 蓄电池 充电器
• 切换模式 和 谐振模式
电源 供应品
• 直流 斩波器
• 交流电 电机 控制
• 温度 和 照明 控件
优点
• 加号 247
tm
包装 用于 夹子 或 弹簧
安装
• 空间 储蓄
• 高 电源 密度
HiPerFET
tm
电源 mosfets
98636 (7/99)
加号 247
tm
(ixfx)
g
d
(选项卡)
g = 闸门 d = 排水管
s = 来源 选项卡 = 排水管
ixfx 120n20
v
DSS
= 200 v
ixfk 120n20
我
D25
= 120 一个
右
ds(开启)
= 17 m
t
rr
250 ns
s
g
d
(选项卡)
至-264 aa (ixfk)
初步 数据 工作表
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件, 和 尺寸.
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