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资料编号:576778
 
资料名称:RF071M2S
 
文件大小: 47.88K
   
说明
 
介绍:
Fast recovery Diodes (Silicon Epitaxial Planar)
 
 


: 点此下载
 
1
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2
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3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
RF071M2S
二极管
1/2
快 回收 二极管
RF071M2S
z
应用程序
高 频率 整改
z
特点
1) 小 电源 模具 类型 (pmds)
2) 超 低 v
f
3) 很 快 回收
4) 低 开关 损失
z
施工
硅 外延 平面
z
外部 尺寸
rohm : pmdu
阴极 标记
65
0.9 0.1
0.80 0.1
1.6 0.1
2.6 0.1
3.5 0.2
0.1
+
+
+
+
+
+
0.1
0.05
z
绝对 最大值 额定值
(助教=25
°
c)
参数 UnitSymbol 限制
反向 电压 (重复性 峰值)
vv
rm
200
平均值 已纠正 前进 电流
人工智能
o
0.7
vv
200
反向 电压 (直流)
前进 电压 (直流) 人工智能
f
1.0
人工智能
FSM
15
前进 峰值 浪涌 电流
(60hz
.
1cyc.)
°
c
Tj 150
接合点 温度
Tstg
55 至
+
150
°
c
存储 温度
安装 开启 玻璃 epoxi 板
z
电气 特性
(助教=25
°
c)
参数 ConditionsSymbol 最小值 最大值 unittyp.
f
=0.7av
f
0.850 v0.790
前进 电压
v
=200VI
10
µ
一个
反向 电流
t
rr
25
f
=0.5a, 我
=1.0a, 我
rr
=0.25 我
ns
反向 回收 时间
备注) esd 敏感 产品 handing 必填项.
ns
10n
+
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