IRFB4215
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 0.56
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.24 ––– °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 40
热 电阻
www.irf.com 1
v
DSS
= 60v
右
ds(开启)
= 9.0m
Ω
我
d
= 115a
s
d
g
高级 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现 极其 低
导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这 快
开关 速度 和 加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其
高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
动态 设计验证/dt 评级
175°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
优化 用于 smps 应用程序
描述
pd - 95884
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 115
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 81 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
360
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 270 w
线性 降额 因素 1.8 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
我
ar
雪崩 电流
85 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
18 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
4.7 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10lbf•in (1.1n•m)
至-220ab
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