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资料编号:607553
 
资料名称:SI1539DL
 
文件大小: 67.87K
   
说明
 
介绍:
Complementary 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si1539DL
vishay siliconix
文件 号码: 71250
s-21374—rev. b, 12-8月-02
www.vishay.com
2-1
互补30-v (d-s) 场效应晶体管
产品摘要
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
0.480 @ v
gs
= 10 v 0.63
n通道 30
0.700 @ v
gs
= 4.5 v 0.52
0.940 @ v
gs
= -10 v -0.45
p沟道 -30
1.700 @ v
gs
= -4.5 v -0.33
sot-363
sc-70 (6-导联)
6
4
1
2
3
5
顶部 查看
s
1
g
1
d
2
d
1
g
2
s
2
标记 代码
rc XX
批号 可追溯性
和 日期 代码
零件 # 代码
YY
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
n通道 p沟道
参数 符号
单位
漏源 电压 v
ds
30 -30
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
t
一个
= 25
c 0.63 0.54 - 0.45 -0.42
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
d
0.45 0.43 -0.32 -0.31
脉冲 排水管 电流
dm
1.0
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
s
0.25 0.23 -0.25 -0.23
t
一个
= 25
c 0.30 0.27 0.30 0.27
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
0.16 0.14 0.16 0.14
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
-55 至 150
c
电阻额定值
参数 符号 典型 最大值 单位
t
5 秒 360 415
最大值 交叉点到环境
一个
稳定 州
thja
400 460
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳定 州
thJF
300 350
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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