Si1016X
vishay siliconix
新建 产品
文件 号码: 71168
s-03104—rev. 一个, 08-二月-01
www.vishay.com
1
互补 n- 和 p沟道 20-v (d-s) 场效应晶体管
v
ds
(v)
右
ds(开启)
(
)
我
d
(ma)
0.70 @ v
gs
= 4.5 v 600
n通道 20
0.85 @ v
gs
= 2.5 v 500
1.25 @ v
gs
= 1.8 v 350
1.2 @ v
gs
= –4.5 v –400
p沟道 –20
1.6 @ v
gs
= –2.5 v –300
2.7 @ v
gs
= –1.8 v –150
很 小 占地面积
高侧 开关
低 开启-电阻:
n-频道, 0.7
p-频道, 1.2
低 阈值:
0.8 v (典型值)
快 swtiching 速度: 14 ns
1.8-v 操作
栅极-源极 esd 保护
轻松 入点 驾驶 开关
低 偏移量 (错误) 电压
低电压 操作
高速 电路
低 蓄电池 电压 操作
更换 数字 晶体管, 水平-换档器
蓄电池 操作 系统
电源 供应 变频器 电路
荷载/电源 开关 细胞 电话, 寻呼机
标记 代码: 一个
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3
1
d
2
g
2
s
1
52
4
6
d
1
s
2
g
1
sot-563
sc-89
n通道 p沟道
参数 符号
5 秒 稳定 州 5 秒 稳定 州
单位
漏源 电压 v
ds
20 –20
栅极-源极 电压 v
gs
6
v
t
一个
= 25
c
515 485 –390 –370
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 85
c
我
d
370 350 –280 –265
脉冲 排水管 电流
b
我
dm
650 –650
ma
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
450 380 –450 –380
t
一个
= 25
c
280 250 280 250
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 85
c
p
d
145 130 145 130
mW
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
栅极-源极 esd 评级 (hbm, 方法 3015) esd 2000 v
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板.
b. 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
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