Si6544DQ
vishay siliconix
文件 号码: 70668
s-56944—rev. c, 23-十一月-98
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n- 和 p沟道 30-v (d-s) 场效应晶体管
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个)
n通道 30
0.035 @ v
gs
= 10 v
4.0
n通道 30
0.050 @ v
gs
= 4.5 v
3.4
p沟道 –30
0.045 @ v
gs
= –10 v
3.5
p沟道 –30
0.090 @ v
gs
= –4.5 v
2.5
Si6544DQ
d
1
s
1
s
1
g
1
1
2
3
4
8
7
6
5
d
2
s
2
s
2
g
2
tssop-8
顶部 查看
d
1
g
1
s
1
n通道 场效应晶体管
s
2
g
2
d
2
p沟道 场效应晶体管
参数 符号 n通道 p沟道 单位
漏源 电压 v
ds
30 –30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
4.0
3.5
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
3.2
2.8
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
20
20
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
1.25 –1.25
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
1.0
wmaximum 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
0.64
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
参数 符号 n- 或 p沟道 单位
最大值 交叉点到环境
一个
右
thja
125
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
10 秒.
: 点此下载
