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资料编号:627770
 
资料名称:SUD25N06-45L
 
文件大小: 79.25K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
 
 


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4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sud25n06-45l
vishay siliconix
文件 号码: 70274
s-57253—rev. e?, 24-二月-98
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n通道 60-v (d-s), 175
c 场效应晶体管, 逻辑 水平
 
v
ds
(v)
ds(开启)
(
)
d
(一个)
60
0.035 @ v
gs
0.045 @ v
gs
= 4.5 v 22
至-252
sgd
顶部 查看
排水管 已连接 至 选项卡
订单 号码:
sud25n06-45l
d
g
s
n通道 场效应晶体管
   

   
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
60
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
=175
c)
t
c
= 25
c
d
25
一个
连续 排水管 电流
(t
j
= 175
c)
t
c
= 100
c
d
16
一个
脉冲 排水管 电流
dm
30
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
s
25
雪崩 电流
ar
25
重复性 雪崩 能源 (职责 循环
1%) l = 0.1 mh e?
ar
31 mJ
最大值 电源 耗散
t
c
= 25
c
p
d
50
w
最大值 电源 耗散
t
一个
= 25
c
p
d
2.5
一个
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 175
c
  
参数 符号 限制 单位
最大值 交叉点到环境
一个
thja
60
c/w
最大值 连接至壳体
thjc
3.0
c/w
备注:
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
用于 额外的刺激 型号 信息 通过 这 全球 web: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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