sud45p03-10
vishay siliconix
文件 号码: 70766
s-02596—rev. d, 21-十一月-00
www.vishay.com
2-1
p沟道 30-v (d-s), 150
c 场效应晶体管
v
ds
(v)
右
ds(开启)
(
)
我
d
(一个)
一个
0.010 @ v
gs
= –10 v –15
–30
0.018 @ v
gs
= –4.5 v –12
至-252
sgd
顶部 查看
排水管 已连接 至 选项卡
订单 号码:
sud45p03-10
s
g
d
p沟道 场效应晶体管
参数 符号 限制 单位
漏源 电压 v
ds
–30
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
t
一个
= 25
c
–15
连续 排水管 电流
b
t
一个
= 100
c
我
d
–8
脉冲 排水管 电流 我
dm
–100
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导) 我
s
–15
t
c
= 25
c
70
最大值 电源 耗散
b
t
一个
= 25
c
p
d
4
b
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
–55 至 150
c
参数 符号 典型 最大值 单位
最大值 交叉点到环境
b
右
thja
30
最大值 连接至壳体 右
thjc
1.8
c/w
备注
一个. 已计算 评级 用于 t
一个
= 25
c, 用于 比较 目的 仅. 这个 不能 是 已使用 作为 连续 评级 (请参见 绝对 最大值 额定值 和 典型
特性).
b. 表面 已安装 开启 fr4 板, t
10 秒.
: 点此下载
