TPCS8212
2002-01-17
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toshiba 字段 效果 晶体管 硅 n 频道 mos 类型 (u-mosiii)
TPCS8212
锂 离子 蓄电池 应用程序
•
小 占地面积 到期 至 小 和 薄 包装
•
低 漏源 开启 电阻: 右
ds (开启)
= 16 m
Ω
(典型值.)
•
高 前进 转让 admittance: |y
fs
| = 11 s (典型值.)
•
低 泄漏 电流: 我
DSS
= 10 µa (最大值) (v
ds
= 20 v)
•
增强功能-模式: v
th
= 0.5~1.2 v (v
ds
= 10 v, 我
d
= 200 µa)
•
普通 排水管
最大值 额定值
(助教
=
==
=
25°c)
特性 符号 评级 单位
漏源 电压 v
DSS
20 v
漏极-栅极 电压 (右
gs
=
20 k
Ω
) v
DGR
20 v
栅极-源极 电压 v
GSS
±
12 v
直流 (备注 1) 我
d
6
排水管 电流
脉冲 (备注 1) 我
dp
24
一个
单独-设备
操作 (备注 3a)
p
d (1)
1.1
排水管 电源
耗散
(t
=
10 s)
(备注 2a)
单独-设备 值
在 双 操作
(备注 3b)
p
d (2)
0.75
单独-设备
操作 (备注 3a)
p
d (1)
0.6
排水管 电源
耗散
(t
=
10 s)
(备注 2b)
单独-设备 值
在 双 操作
(备注 3b)
p
d (2)
0.35
w
单独 脉冲 雪崩 能源
(备注 4)
e?
作为
46.8 mj
雪崩 电流 我
ar
6 一个
重复性 雪崩 能源
单独-设备 值 在 双 操作
(备注 2a, 3b, 5)
e?
ar
0.075 mj
频道 温度 t
ch
150 °c
存储 温度 范围 t
stg
−
55~150 °c
备注: (备注 1), (备注 2), (note 3), (note 4), (note 5) 请 请参见 下一个 page.
这个 晶体管 是 一个 静电 敏感 设备. 请 手柄 与 注意事项.
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-3r1e
重量: 0.035 g (典型值.)
电路 配置
8 7 6 5
1 2 3 4
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