TPIC6B259
电源 逻辑 8-有点 可寻址 门闩
slis030 – april 1994 – 修订 july 1995
1
post 办公室 框 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
d
低 右
ds(开启)
...5
Ω
典型
d
雪崩 能源 ...30 mj
d
八 电源 dmos-晶体管 产出 的
150-ma 连续 电流
d
500-ma 典型 限流 能力
d
输出 卡箍 电压 . . . 50 v
d
四 相异 功能 模式
d
低 电源 消费
描述
这个 电源 逻辑 8-有点 可寻址 门闩 控件
开漏极 dmos-晶体管 产出 和 是
设计 用于 通用 存储
应用程序 入点 数字 系统. 具体 用途
包括 工作 寄存器, 串行-持有 寄存器,
和 解码器 或 demultiplexers. 这个 是 一个 多-
功能 设备 有能力 的 存储 单线
数据 入点 八 可寻址 锁扣 和 3-至-8
解码器 或 多路分解器 与 低电平有效 dmos
产出.
四 相异 模式 的 操作 是 可选择 由
控制 这 清除 (clr
) 和 启用 (g) 输入
作为 enumerated 入点 这 功能 表. 入点 这
可寻址-门闩 模式, 数据 在 这 数据-入点 (d)
终端 是 书面 进入 这 地址 门闩. 这
地址 dmos-晶体管 输出 倒置 这
数据 输入 与 全部 未处理 dmos-晶体管
产出 剩余 入点 他们的 上一个 国家. 入点 这
记忆 模式, 全部 dmos-晶体管 产出
保持 入点 他们的 上一个 国家 和 是 不受影响
由 这 数据 或 地址 输入. 至 消除 这
可能性 的 进入 错误的 数据 入点 这 门闩,
启用 g
应该 是 持有 高 (不活动) 同时 这
地址 线条 是 变化. 入点 这 3-至-8 解码
或 解复用 模式, 这 地址 输出 是
倒置 与 尊重 至 这 d 输入 和 全部 其他
产出 是 关. 入点 这 清除 模式, 全部 产出 是 关 和 不受影响 由 这 地址 和 数据 输入. 当 数据
是 低 用于 一个 给定 输出, 这 dmos-晶体管 输出 是 关. 当 数据 是 高, 这 dmos-transistor 输出 有
灌电流 能力.
产出 是 低-侧面, 开漏极 dmos 晶体管 与 输出 额定值 的 50 v 和 150-ma 连续
灌电流 能力. 每个 输出 提供 一个 500-ma 典型 电流 限制 在 t
c
= 25
°
c. 这 电流 限制
减少 作为 这 接合点 温度 增加 用于 附加 设备 保护.
这 tpic6b259 是 表征 用于 操作 结束 这 操作 案例 温度 范围 的 –40
°
c 至 125
°
c.
版权
1997, 德州 仪器仪表 股份公司
生产 数据 信息 是 电流 作为 的 出版物 日期.
产品 符合 至 规格 按 这 条款 的 德州 仪器仪表
标准 保修. 生产 加工 是否 不 必然 包括
测试 的 全部 参数.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
nc
v
抄送
S0
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
S1
地
地
nc
clr
d
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
g
S2
地
dw 或 n 包装
(顶部 查看)
输出 的
地址
排水管
每个
其他
排水管
输入
功能
clr g
功能 表
门闩 选择 表
选择 输入 排水管
地址
0
1
2
3
4
5
6
7
l
l
l
l
h
h
h
h
d
h
h
l
l
h
l
l
h
q
io
q
io
q
io
q
io
h h x 记忆
l
l
l
l
h
l
l
h
h
h
8-线
多路分解器
l h x h h 清除
可寻址
门闩
S2 S1 S0
l
l
h
h
l
l
h
h
l
h
l
h
l
h
l
h
nc – 否 内部 连接
h = 高 水平, l = 低 水平
生产 数据 信息 是 电流 作为 的 出版物 日期.
产品 符合 至 规格 按 这 条款 的 德州 仪器仪表
标准 保修. 生产 加工 是否 不 必然 包括
测试 的 全部 参数.
: 点此下载
