特点
小 脚
加号
电源 场效应晶体管
100% 右
g
已测试
g
2
s
2
n通道 2
场效应晶体管
肖特基 二极管
一个
g
1
d
1
n通道 1
场效应晶体管
s
1
/d
2
Si4816BDY
vishay siliconix
新建 产品
文件号码: 73026
s-41510—rev.一个, 09-8月-04
www.vishay.com
1
双 n通道 30-v (d-s) 场效应晶体管 与 肖特基 二极管
产品摘要
v
ds
(v) 右
ds(开启)
(
) 我
d
(一个) q
g
(典型值)
频道-1
0.0185 @ v
gs
= 10 v 6.8
78channel-1
30
0.0225 @ v
gs
= 4.5 v 6.0
7.8
频道 2
30
0.0115 @ v
gs
= 10 v 11.4
11 6channel-2
0.016 @ v
gs
= 4.5 v 9.5
11.6
肖特基 产品 摘要
v
ds
(v)
v
sd
(v)
二极管 前进 电压
我
f
(一个)
30 0.50 v @ 1.0 一个 2.0
g
1
d
1
一个/s
2
d
2
/s
1
一个/s
2
d
2
/s
1
g
2
d
2
/s
1
所以-8
5
6
7
8
顶部 查看
2
3
4
1
订购 信息: Si4816BDY—E3
si4816bdy-t1—e3 (与 t猿 和 卷轴)
绝对 最大值 额定值 (t
一个
= 25
c 除非 否则 已注明)
频道-1 频道-2
参数 符号
10 秒 稳定 州 10 秒 稳定 州
单位
漏源 电压 v
ds
30
v
栅极-源极 电压 v
gs
20
v
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 25
c
我
d
6.8 5.8 11.4 8.2
连续 排水管 电流
(t
j
= 150
c)
一个
t
一个
= 70
c
我
d
5.5 4.6 9.0 6.5
一个
脉冲 排水管 电流 我
dm
30 40
一个
连续 来源 电流 (二极管 传导)
一个
我
s
1 0.9 2.2 1.15
最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 25
c
p
d
1.4 1.0 2.4 1.25
w最大值 电源 耗散
一个
t
一个
= 70
c
p
d
0.9 0.64 1.5 0.8
w
操作 接合点 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−
55 至 150
c
热电阻额定值
频道-1 频道-2 肖特基
参数 符号
Typ 最大值 Typ 最大值 Typ 最大值
单位
mi j ti tAbit
一个
t
10 秒
右
72 90 43 53 48 60
最大值 交叉点到环境
一个
稳态
右
thja
100 125 82 100 80 100
c/w
最大值 接合点-至-脚 (排水管) 稳态 右
thJF
51 63 25 30 28 35
c/w
备注
一个. 表面 已安装 开启 1” x 1” fr4 板.
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