DS1225Y
64k 非挥发性 sram
DS1225Y
021998 1/8
特点
•
10 年 最小值 数据 保留 入点 这 缺席 的
外部 电源
•
数据 是 自动 保护 期间 电源 损失
•
直接 替换 8k x 8 挥发性 静态 ram 或 ee-
舞会
•
无限 写 循环次数
•
低功耗 cmos
•
电子元件工业联合会 标准 28–pin 倾角 包装
•
阅读 和 写 访问权限 次 作为 快 作为 150 ns
•
已满
±
10% 操作 范围
•
可选 工业 温度 范围 的 –40
°
c 至
+85
°
c, 指定 指示
管脚 分配
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
地
VCC
nc
A8
A9
A11
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
我们
oe
ce
28–pin 已封装 包装
720 密耳 扩展
管脚 描述
A0–A12 – 地址 输入
DQ0–DQ7 – 数据 入点/数据 出点
ce
– 芯片 启用
我们 – 写 启用
oe – 输出 启用
v
抄送
– 电源 (+5v)
地 – 接地
nc – 否 连接
描述
这 ds1225y 64k 非挥发性 sram 是 一个 65,536–bit,
完全 静态, 非挥发性 ram 有组织的 作为 8192 字词
由 8 比特. 每个 nv sram 有 一个 self–contained 锂
能源 来源 和 控制 电路 哪个 不断地
显示器 v
抄送
用于 一个 out–of–tolerance 条件. 当
这样的 一个 条件 发生, 这 锂 能源 来源 是
自动 已切换 开启 和 写 保护 是 uncon-
ditionally 已启用 至 防止 数据 腐败. 这 nv
sram 可以 是 已使用 入点 地点 的 现有 8k x 8 srams
直接 符合 至 这 受欢迎 字节宽 28–pin 倾角
标准. 这 ds1225y 也 火柴 这 引出线 的 这
2764 非易失存储器 或 这 2864 可擦可编程只读存储器, 允许 直接
substitution 同时 增强 业绩. 那里 是 否
限制 开启 这 号码 的 写 循环次数 那 可以 是 处决
和 否 附加 支持 电路 是 必填项 用于 微型-
处理器 接口.
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