参数 最大值 单位
I
D
@ tc = 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10 v 1.5
I
D
@ tc = 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10 v 0.96
I
DM
搏动 流 电流
12
P
D
@tc = 25°c 电源 消耗 3.1
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 (pcb 挂载)** 2.0 W
直线的 减额 因素 0.025
直线的 减额 因素 (pcb 挂载)** 0.017
w/°c
V
GS
门-至-源 电压 -/+20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
150 mJ
I
AR
avalanche 电流
1.5 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
0.31 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.5 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150
IRFL110
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 90861a
S
D
G
V
DSS
= 100v
R
ds(在)
= 0.54
Ω
I
D
= 1.5a
第三 一代 hexfets 从 国际的 整流器
提供 这 设计者 和 这 最好的 结合体 的 快
切换, 加固 设备 设计, 低 在-阻抗
和 费用-成效.
这 sot-223 包装 是 设计 为 表面-挂载 使用
vapor 阶段, infra red, 或者 波 焊接 技巧. 它的
唯一的 包装 设计 准许 为 容易 自动 挑选-和-
放置 作 和 其它 sot 或者 soic 包装 但是 有 这
增加 有利因素 的 改进 热的 效能 预定的 至
一个 enlarged tab 为 heatsinking. 电源 消耗 的
grreater 比 1.25w 是 可能 在 一个 典型 表面 挂载
应用.
1/28/99
描述
表面 挂载
有 在 录音带 &放大; 卷轴
动态 dv/dt 比率
repetitive avalanche 评估
快 切换
使容易 的 paralleling
简单的 驱动 (所需的)东西
sot-223
** 当 挂载 在 1'' 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料).
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-pcb ––– 40
R
θ
JA
接合面-至-包围的. (pcb 挂载)** ––– 60
热的 阻抗
°c/w
绝对 最大 比率
一个
www.irf.com 1
soldewring 温度, 为 10 秒
300 (1.6mm 从 情况)
°C
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