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半导体 组 1
npn 硅 高-电压 晶体管 bf 622
最大 比率
类型 订货 代号
(录音带 和 卷轴)
标记
包装
1)
管脚 配置
bf 622 q62702-f1052da sot-89
1 2 3
B C E
热的 阻抗
接合面 - 包围的
2)
R
th ja
≤
90 k/w
接合面 - 焊接 要点
R
th js
≤
30
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE0
250 V
顶峰 集电级 电流
I
CM
100
集电级 电流
I
C
50 毫安
接合面 温度
T
j
150 ˚C
总的 电源 消耗,
T
S
= 120 ˚C
P
tot
1W
存储 温度 范围
T
stg
– 65 … + 150
集电级-根基 电压
V
CB0
250
发射级-根基 电压
V
EB0
5
集电级-发射级 电压,
R
是
= 2.7 k
Ω
V
CER
250
1)
为 详细地 信息 看 chapter 包装 轮廓.
2)
包装 挂载 在 环氧的 pcb 40 mm
×
40 mm
×
1.5 mm/6 cm
2
cu.
●
合适的 为 video 输出 stages 在 tv sets
●
高 损坏 电压
●
低 集电级-发射级 饱和 电压
●
低 电容
●
complementary 类型: bf 623 (pnp)
5.91

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半导体组 1 npn 硅高-电压晶体管 bf 622 最大比率类型订货代号 (录音带和卷轴) 标记包装 1) 管脚配置 bf 622 q62702-f1052da sot-89 1 2 3 B C E 热的阻抗接合面 - 包围的 2) R th ja ≤ 90 k/w 接合面 - 焊接要点 R th js ≤ 30 参数标识值单位集电级-发射级电压 V CE0 250 V 顶峰集电级电流 I CM 100 集电级电流 I C 50 毫安接合面温度 T j 150 ˚C 总的电源消耗, T S = 120 ˚C P tot 1W 存储温度范围 T stg – 65 … + 150 集电级-根基电压 V CB0 250 发射级-根基电压 V EB0 5 集电级-发射级电压, R 是 = 2.7 k Ω V CER 250 1) 为详细地信息看 chapter 包装轮廓. 2) 包装挂载在环氧的 pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm 2 cu. ● 合适的为 video 输出 stages 在 tv sets ● 高损坏电压 ● 低集电级-发射级饱和电压 ● 低电容 ● complementary 类型: bf 623 (pnp) 5.91

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