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mmbr571lt1 mrf571 mrf5711lt1
motorola rf 设备 数据
这 rf 线条
NPN 硅
高-频率 晶体管
设计 为 低 噪音, 宽 动态 范围 front–end 放大器 和
low–noise vco’s. 有 在 一个 surface–mountable 塑料 包装. 这个
motorola 序列 的 small–signal 塑料 晶体管 提供 更好的 质量 和
效能 在 低 费用.
•
高 gain–bandwidth 产品
f
T
= 8.0 ghz (典型值) @ 50 毫安
•
低 噪音 图示
NF
最小值
= 1.6 db (典型值) @ f = 1.0 ghz (mrf5711lt1, mrf571)
•
高 增益
G
NF
= 17 db (典型值) @ 30 毫安/500 mhz (mmbr571lt1)
•
高 电源 增益
G
pe (matched)
= 13.5 db (典型值) (mrf5711lt1)
•
state–of–the–art 技术
fine 线条 geometry
ion–implanted arsenic emitters
金 顶 敷金属 和 线
硅 渗氮 passivation
•
有 在 录音带 和 卷轴 包装 选项:
t1 后缀 = 3,000 单位 每 卷轴
最大 比率
比率 标识 值 单位
collector–emitter 电压 V
CEO
10 Vdc
collector–base 电压 V
CBO
20 Vdc
emitter–base 电压 V
EBO
3.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
80 毫安
总的 设备 消耗 @ t
情况
= 75
°
C
mmbr571lt1, mrf5711lt1
减额 成直线地 在之上 t
情况
= 75
°
c @
P
d(最大值)
0.33
4.44
W
mw/
°
C
总的 设备 消耗 (1) @ t
C
= 75
°
C
减额 在之上 75
°
C MRF571
P
D
0.58
7.73
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 温度 T
stg
–55 至
+150
°
C
热的 特性
比率 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况
mrf5711lt1, mmbr571lt1
R
θ
JC
225
°
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况 MRF571 R
θ
JC
130
°
c/w
最大 接合面 温度 T
Jmax
150
°
C
设备 标记
mmbr571lt1 = 7x mrf5711lt1 = 02
便条:
1. 情况 温度 量过的 在 集电级 含铅的 立即 调整 至 身体 的 包装.
顺序 这个 文档
用 mmbr571lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MMBR571LT1
MRF571
MRF5711LT1
I
C
= 80 毫安
低 噪音
HIGH–FREQUENCY
晶体管
情况 318–08, 样式 6
SOT–23
低 profile
MMBR571LT1
情况 318a–05, 样式 1
SOT–143
低 profile
MRF5711LT1
情况 317–01, 样式 2
MACRO–X
MRF571
motorola, 公司 1997
rev 8
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