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资料编号:318034
 
资料名称:IRF820A
 
文件大小: 100.33K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com 1
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IRF820A
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptable 电源 供应
高 速 电源 切换
益处
产品
低 门 承担 qg 结果 在 简单的
驱动 必要条件
改进 门, avalanche 和 动态
dv/dt 强壮
全部地 典型 电容 和
avalanche 电压 和 电流
指定 (看 一个 1001)
V
DSS
R
DS
(在) 最大值 I
D
500V 3.0
2.5a
典型 smps topologies:

二 晶体管 向前

half 桥 和 全部 桥
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 2.5
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 1.6 一个
I
DM
搏动 流 电流
10
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 50 W
直线的 减额 因素 0.4 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
3.4 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
挂载 torqe, 6-32 或者 m3 screw 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大 比率
SDG
pd- 93773a
注释

通过
是 在 页 8
至-220ab
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