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资料编号:342261
 
资料名称:IRG4PF50W
 
文件大小: 138.73K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4PF50W
insulated 门 双极 晶体管
pd - 91710
E
C
G
n-频道
特性
• 优化 为 使用 在 welding 和 转变-模式
电源 供应 产品
• 工业 benchmark 切换 losses 改进
效率 的 所有 电源 供应 topologies
• 50% 减少 的 eoff 参数
• 低 igbt 传导 losses
• 最新的 技术 igbt 设计 提供 tighter
参数 分发 结合 和 exceptional
• 更小的 切换 losses 准许 更多 费用-有效的
运作 和 hence 效率高的 替换 的 大-
消逝 mosfets 向上 至 100khz
• 的 particular 益处 在 单独的-结束 转换器 和
电源 供应 150w 和 高等级的
• 减少 在 核心的 eoff 参数 预定的 至 minimal
minority-运输车 recombination 结合 和 低 在-
状态 losses 准许 最大 flexibility 在 设备
应用
益处
V
CES
= 900v
V
ce(在) 典型值
= 2.25v
@V
GE
= 15v, i
C
= 28a
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 损坏 电压 900 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 51
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 28 一个
I
CM
搏动 集电级 电流
➀➀
➀➀
204
I
LM
clamped inductive 加载 电流
➁➁
➁➁
204
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
E
ARV
反转 电压 avalanche 活力
➂➂
➂➂
186 mJ
P
D
@ t
C
= 25°c 最大电源消耗 200
P
D
@ t
C
= 100°c 最大电源消耗 78
T
J
运行接合面 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (0.063 在. (1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
W
4/15/98
www.irf.com 1
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.64
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载 ––– 40
Wt 重量 6 (0.21) ––– g (oz)
热的 阻抗
至-247ac
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