IRG4PH50KD
insulated 门 双极 晶体管 和
ultrafast 软 恢复 二极管
E
G
n-频道
C
V
CES
= 1200v
V
ce(在) 典型值
=
2.77v
@V
GE
= 15v, i
C
= 24a
pd- 91575b
至-247ac
短的 电路 评估
ultrafast igbt
参数 最大值 单位
V
CES
集电级-至-发射级 电压 1200 V
I
C
@ t
C
= 25°c 持续的 集电级 电流 45
I
C
@ t
C
= 100°c 持续的 集电级 电流 24
I
CM
搏动 集电级 电流
90 一个
I
LM
clamped inductive 加载 电流
90
I
F
@ t
C
= 100°c 二极管 持续的 向前 电流 16
I
FM
二极管 最大 向前 电流 90
t
sc
短的 电路 承受 时间 10 µs
V
GE
门-至-发射级 电压 ± 20 V
P
D
@ t
C
= 25°c 最大 电源 消耗 200
P
D
@ t
C
= 100°c 最大 电源 消耗 78
T
J
运行 接合面 和 -55 至 +150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒. 300 (0.063 在. (1.6mm) 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf•in (1.1 n•m)
7/7/2000
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 - igbt
––– –––
0.64
R
θ
JC
接合面-至-情况 - 二极管
––– –––
0.83
°
c/w
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面
–––
0.24
–––
R
θ
JA
接合面-至-包围的, 典型 插座 挂载
––– –––
40
Wt 重量
–––
6 (0.21)
–––
g (oz)
热的 阻抗
绝对 最大 比率
W
FeaturesFeatures
FeaturesFeatures
特性
•
高 短的 电路 比率 优化 为 发动机 控制,
t
sc
=10µs, v
CC
= 720v , t
J
= 125
°
c,
V
GE
= 15v
•
结合 低 传导 losses 和 高
切换 速
•
tighter 参数 分发 和 高等级的 效率
比 previous generations
•
igbt co-packaged 和 hexfred
TM
ultrafast,
ultrasoft 恢复 antiparallel 二极管
•
最新的 一代 4 igbt's 提供 最高的 电源 密度
发动机 控制 可能
•
HEXFRED
TM
二极管 优化 为 效能 和 igbts.
使减少到最低限度 恢复 特性 减少 噪音, emi 和
切换 losses
•
这个 部分 替代 这 irgph50kd2 和 irgph50md2
产品
•
为 hints 看 设计 tip 97003
益处
www.irf.com 1
: 点此下载
