IRF2807S
IRF2807L
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
02/14/02
V
DSS
= 75v
R
ds(在)
= 13m
Ω
I
D
= 82a
S
D
G
先进的 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际的
整流器 utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
联合的 和 这 快 切换 速 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好
知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的
和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 d
2
pak 是 一个 表面 挂载 电源 包装 有能力 的
accommodating 消逝 sizes 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这 最高的
电源 能力 和 这 最低 可能 在-阻抗 在 任何
存在 表面 挂载 包装. 这 d
2
pak 是 合适的 为
高 电流 产品 因为 的 它的 低 内部的 连接
阻抗 和 能 dissipate 向上 至 2.0w 在 一个 典型 表面
挂载 应用.
这 通过-孔 版本 (irf2807l) 是 有 为 低-
profile 产品.
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
动态 dv/dt 比率
175
°
c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
描述
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 82
I
D
@ t
C
= 100
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 58 一个
I
DM
搏动 流 电流
280
P
D
@T
C
= 25
°
C 电源 消耗 230 W
直线的 减额 因素 1.5 w/
°
C
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
I
AR
avalanche 电流
43 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
23 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.9 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°
C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 srew 10 lbf
•
在 (1.1n
•
m)
D
2
Pak
IRF2807S
至-262
IRF2807L
www.irf.com 1
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
0.65
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)**
–––
40
热的 阻抗
°
c/w
pd - 94170
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