2-1
半导体
october 1997
特性
• 8.0a 和 9.2a, 80v 和 100v
•r
ds(在)
= 0.27
Ω
和 0.36
Ω
• soa 是 电源 消耗 限制
• nanosecond 切换 speeds
• 直线的 转移 特性
• 高 输入 阻抗
• majority 运输车 设备
• related literature
- tb334 “guidelines 为 焊接 表面 挂载
组件 至 pc boards”
描述
这些 是 n-频道 增强 模式 硅 门
电源 field 效应 晶体管. 它们 是 先进的 电源
mosfets 设计, 测试, 和 有保证的 至 承受 一个
specified 水平的 的 活力 在 这 损坏 avalanche 模式
的 运作. 所有 的 这些 电源 mosfets 是 设计 为
产品 此类 作 切换 regulators, 切换 变换器-
tors, 发动机 驱动器, 接转 驱动器, 和 驱动器 为 高 电源
双极 切换 晶体管 需要 高 速 和 低
门 驱动 电源. 这些 类型 能 是 运作 直接地 从
整体的 电路.
formerly developmental 类型 ta09594.
标识
包装
电子元件工业联合会 至-204aa
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
IRF120 至-204aa IRF120
IRF121 至-204aa IRF121
IRF122 至-204aa IRF122
IRF123 至-204aa IRF123
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码.
D
G
S
流
(flange)
源 (管脚 2)
门 (管脚 1)
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 恰当的 静电释放 处理 程序.
版权
©
harris 公司 1997
irf120, irf121,
irf122, irf123
8.0a 和 9.2a, 80v 和 100v, 0.27 和 0.36 ohm,
n-频道, 电源 mosfets
文件 号码
1565.2
: 点此下载
