半导体 组件 industries, llc, 2004
8月, 2004 − rev. 6
1
发行 顺序 号码:
ntd20n06/d
NTD20N06
电源 场效应晶体管
20 放大器, 60 伏特, n−channel dpak
设计 为 低 电压, 高 速 切换 产品 在
电源 供应, 转换器 和 电源 发动机 控制 和 桥
电路.
特性
•
pb−free 包装 是 有
•
更小的 r
ds(在)
•
更小的 v
ds(在)
•
更小的 capacitances
•
更小的 总的 门 承担
•
更小的 和 tighter v
SD
•
更小的 二极管 反转 恢复 时间
•
更小的 反转 恢复 贮存 承担
典型 产品
•
电源 供应
•
转换器
•
电源 发动机 控制
•
桥 电路
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
60 Vdc
drain−to−gate 电压 (r
GS
= 10 m
) V
DGR
60 Vdc
gate−to−source 电压
− 持续的
− non−repetitive (t
p
10 ms)
V
GS
V
GS
20
30
Vdc
流 电流
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 持续的 @ t
一个
= 100
°
C
− 单独的 脉冲波 (t
p
10
s)
I
D
I
D
I
DM
20
10
60
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (便条 1)
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (便条 2)
P
D
60
0.40
1.88
1.36
W
w/
°
C
W
W
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至
175
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 − 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 10 vdc,
l = 1.0 mh, i
L
(pk) = 18.4 一个, v
DS
= 60 vdc)
E
作
170 mJ
热的 阻抗
− junction−to−case
− junction−to−ambient (便条 1)
− junction−to−ambient (便条 2)
R
JC
R
JA
R
JA
2.5
80
110
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐
垫子 大小.
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 0.5 sq 在 流 垫子 大小.
N−Channel
D
S
G
60 v 37.5 m
R
ds(在)
典型值
20 一个
I
D
最大值V
(br)dss
1
门
3
源
2
流
4
流
DPAK
情况 369c
样式 2
20N06 = 设备 代号
一个 = 组装 location
Y = 年
WW = 工作 week
1
2
3
4
DPAK−3
情况 369d
样式 2
1
2
3
4
标记
图解
AYWW
20N06
1
门
3
源
2
流
4
流
AYWW
20N06
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 2 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
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