NZT651
NZT651
npn 电流 驱动器 晶体管
注释
:
1)
这些 比率 是 为基础 在 一个 最大 接合面 温度 的 150 degrees c.
2)
这些 是 稳步的 状态 限制. 这 工厂 应当 是 consulted 在 产品 involving 搏动 或者 低 职责 循环 行动.
绝对 最大 ratings*
ta = 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
热的 特性
ta = 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CEO
Collector-Emitter电压 60 V
V
CBO
Collector-Bas e voltage 80 V
V
EBO
Emitter-b作e voltage 5.0 V
I
C
集电级 电流 - 持续的 4.0 一个
T
J
, t
stg
Operating一个dStorage j unc德州仪器在TemperatureRange -55至 +150
°
C
标识 典型的 最大值 单位
*NZT651
P
D
总的 设备 消耗
Derate 在之上25
°
C
1.2
9.7
W
mW/
°
C
R
θ
JA
ThermalResistance, j unc德州仪器在 至 ambient 103
°
c/w
B
C
C
sot-223
E
*
设备 挂载 在 fr-4 pcb 36 mm x 18 mm x 1.5 mm; 挂载 垫子 为 这 集电级 含铅的 最小值 6 cm
2
.
这个 设备 是 设计 为 电源 放大器, 调整器 和 切换
电路 在哪里 速 是 重要的. sourced 从 处理 4p.
1997 仙童 半导体 公司
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