Si6544DQ
vishay siliconix
文档 号码: 70668
s-56944—rev. c, 23-十一月-98
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2-1
n- 和 p-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
n-频道 30
0.035 @ v
GS
= 10 v
4.0
n-频道 30
0.050 @ v
GS
= 4.5 v
3.4
p-频道 –30
0.045 @ v
GS
= –10 v
3.5
p-频道 –30
0.090 @ v
GS
= –4.5 v
2.5
Si6544DQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
tssop-8
顶 视图
D
1
G
1
S
1
n-频道 场效应晶体管
S
2
G
2
D
2
p-频道 场效应晶体管
参数 标识 n-频道 p-频道 单位
流-源 电压 V
DS
30 –30
V
门-源 电压 V
GS
20
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
4.0
3.5
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
3.2
2.8
一个
搏动 流 电流 I
DM
20
20
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.25 –1.25
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
1.0
wmaximum 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
0.64
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 n- 或者 p-频道 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
R
thJA
125
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板, t
10 秒.
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