1
硅 mos fets (小 信号)
单位: mm
标记 标识: 3o
内部的 连接
1: 门
2: 源 eiaj: sc-70
3: 流 s-迷你 类型 包装 (3-管脚)
2.1±0.1
1.3±0.10.9±0.1
0.7±0.1
0.3
+0.1
–0
0.15
+0.1
–0.05
2.0±0.2
1.25±0.1 0.4250.425
1
3
2
0.650.2 0.65
0 至 0.1
0.2±0.1
G
R
1
D
S
R
2
2SK665
硅 n-频道 mos 场效应晶体管
为 切换
■
特性
●
高-速 切换
●
小 驱动 电流 owing 至 高 输入 inpedance
●
高 静电的 损坏 电压
■
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
参数
流 至 源 电压
门 至 源 电压
流 电流
最大值 流 电流
容许的 电源 消耗
频道 温度
存储 温度
标识
V
DS
V
GSO
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
stg
比率
20
8
100
200
150
150
−
55 至 +150
单位
V
V
毫安
毫安
mW
°C
°C
■
电的 特性
(ta = 25°c)
参数
流 至 源 截-止 电流
门 至 源 泄漏 电流
流 至 源 损坏 电压
门 门槛 电压
流 至 源 在-阻抗
向前 转移 admittance
高 水平的 输出 电压
低 水平的 输出 电压
输入 阻抗
转变-在 时间
转变-止 时间
标识
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
ds(在)
*
3
| y
fs
|
V
OH
V
SL
R
1
+ r
2
*
1
t
在
*
2
t
止
*
2
情况
V
DS
= 10v, v
GS
= 0
V
GS
= 8v, v
DS
= 0
I
D
= 100
µ
一个, v
GS
= 0
I
D
= 100
µ
一个, v
DS
= v
GS
I
D
= 20ma, v
GS
= 5v
I
D
= 20ma, v
DS
= 5v, f = 1khz
V
DD
= 5v, v
GS
= 1v, r
L
= 200
Ω
V
DD
= 5v, v
GS
= 5v, r
L
= 200
Ω
V
DD
= 5v, v
GS
= 0 至 5v, r
L
= 200
Ω
V
DD
= 5v, v
GS
= 5 至 0v, r
L
= 200
Ω
*
1
阻抗 比率 r
1
/r
2
= 1/50
*
2
t
在
, t
止
度量 电路
*
3
脉冲波 度量
最小值
40
20
1.5
20
4.5
100
典型值 单位
µ
一个
µ
一个
V
V
Ω
mS
V
V
k
Ω
µ
s
µ
s
最大值
10
80
3.5
50
1
200
1
1
V
输出
V
DD
= 5v
V
GS
= 5v
50
Ω
200
Ω
100
µ
F
V
在
90%
10%
10%
90%
V
输出
t
在
t
止
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