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0.5–12 ghz 一般 目的
镓 砷化物 场效应晶体管
技术的 数据
特性
• 高 有关联的 增益:
13.0␣ db 典型 在 4␣ GHz
• 低 偏差:
V
DS
= 2 v, i
DS
= 25␣ 毫安
• 高 输出 电源:
20.0␣ dbm 典型 p
1 db
在 4␣ GHz
• 低 噪音 图示:
1.2␣ db 典型 在 4␣ GHz
• 费用 有效的 陶瓷的
microstrip 包装
• 录音带-和-卷轴 包装
选项 有
[1]
atf-10736
36 微观的-x packagedescription
这 atf-10736 是 一个 高 perfor-
mance 镓 砷化物 肖特基-
屏障-门 地方 效应 晶体管
housed 在 一个 费用 有效的
microstrip 包装. 它的 噪音
图示 制造 这个 设备 appropri-
ate 为 使用 在 这 增益 stages 的
低 噪音 放大器 运行 在
这 0.5-12 ghz 频率 范围.
这个 gaas 场效应晶体管 设备 有 一个
名义上的 0.3 micron 门 长度
使用 airbridge interconcnects
在 流 fingers. 总的 门
periphery 是 500 microns. proven
金 为基础 敷金属 系统
和 渗氮 passivation 使确信 一个
坚毅的, 可依靠的 设备.
电的 规格, t
一个
= 25
°
C
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值
NF
O
最佳的 噪音 图示: v
DS
= 2 v, i
DS
= 25 毫安 f = 2.0 ghz dB 0.9
f = 4.0 ghz dB 1.2 1.4
f = 6.0 ghz dB 1.4
G
一个
增益 @ nf
O
; v
DS
= 2 v, i
DS
= 25 毫安 f = 2.0 ghz dB 16.5
f = 4.0 ghz dB 12.0 13.0
f = 6.0 ghz dB 10.5
P
1 db
电源 输出 @ 1 db 增益 压缩 f = 4.0 ghz dBm 20.0
V
DS
= 4 v, i
DS
= 70 毫安
G
1 db
1 db compressed 增益: v
DS
= 4 v, i
DS
= 70 毫安 f = 4.0 ghz dB 12.0
g
m
跨导: v
DS
= 2 v, v
GS
= 0 v mmho 70 140
I
DSS
saturated 流 电流: v
DS
= 2 v, v
GS
=0V m 一个 70 130 180
V
P
pinchoff 电压: v
DS
= 2 v, i
DS
=1m一个 V -4.0 -1.3 -0.5
便条:
1. 谈及 至 包装 部分, “tape-和-卷轴 包装 为 表面 挂载 半导体.”
5965-8698e
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