1/17june 2000
M48Z128
M48Z128Y
1 Mbit (128kb x8) ZEROPOWER
SRAM
■
整体的 低 电源 sram,
电源-失败 控制 CIRCUIT 和
电池
■
常规的 SRAM 运作;
UNLIMITED 写 循环
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10 年 的 数据 保持 在 这
ABSENCE 的 电源
■
自动 电源-失败 碎片 DESELECT
和 写 保护
■
写 保护 电压
(v
PFD
= 电源-失败 Deselect 电压):
– m48z128: 4.50v
≤
V
PFD
≤
4.75v
– m48z128y: 4.20v
≤
V
PFD
≤
4.50v
■
电池 内部 分开的 直到
电源 是 应用
■
管脚 和 函数 兼容 和
电子元件工业联合会 标准 128K x 8 SRAMs
■
表面 挂载 碎片 设置 包装
包含 一个 28-管脚 SOIC 和 一个 32-含铅的
TSOP (snaphat 顶 至 是 ORDERED
separately)
■
SOIC 包装 提供 直接
连接 为 一个 SNAPHAT 顶 这个
包含 这 电池
■
SNAPHAT
HOUSING (电池) 是
REPLACEABLE
图示 1. 逻辑 图解
AI01194
17
a0-a16
W
dq0-dq7
V
CC
M48Z128
M48Z128Y
G
V
SS
8
E
表格 1. 信号 Names
a0-a16 地址 输入
dq0-dq7 数据 输入 / Outputs
E 碎片 使能
G 输出放 使能
W Write 使能
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
NC 不 连接 内部
32
1
TSOP32
(8 x 20mm)
SOH28
表面 挂载 碎片 设置 解决方案 (cs)
SNAPHAT (sh)
电池
PMDIP32 (pm)
单元
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