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资料编号:1032652
 
资料名称:MRF136
 
文件大小: 340K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
 
 


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5
mrf136 mrf136y
motorola rf 设备 数据
V
GS
, gate–source 电压 (伏特)
图示 9. 输出 电源 相比 供应 电压
MRF136
图示 10. 输出 电源 相比 门 电压
MRF136
图示 11. 流 电流 相比 门 电压
(转移 特性)*
mrf136/mrf136y
图示 12. gate–source 电压 相比
情况 temperature*
mrf136/mrf136y
图示 13. 电容 相比 drain–source voltage*
mrf136/mrf136y
图示 14. 直流 safe 运行 范围
mrf136/mrf136y
*Data显示 应用 至 mrf136 和 各自 half 的 mrf136y.
12 16 20 24 28
V
DD
, 供应 电压 (伏特)
P
输出
, 输出 电源 (watts)
14 18 22 26
2 w
I
DQ
= 25 毫安
f = 400 mhz
P
= 3 w
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0 16 20 24 28
V
DS
, drain–source 电压 (伏特)
25 25 75 125 175
T
C
, 情况 温度 (
°
c)
0 50 100 150
0.94
7
P
输出
, 输出 电源 (watts)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4 8 12
1.04
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0 4 5 6 7
V
DS
, gate–source 电压 (伏特)
1 2 3
0
100
180
60
40
20
6 5 4 3 2 –1 0 1 2 3
1 w
V
DS
= 28 v
I
D
= 750 毫安
25 毫安
500 毫安
250 毫安
1 3020 50 100
V
DS
, drain–source 电压 (伏特)
2 3 5
0.1
10 70
10
5
3
2
1
0.3
0.2
V
DS
= 10 v
典型 设备
显示, v
gs(th)
= 3 v
V
DD
= 28 v
I
DQ
= 25 毫安
P
= 常量
典型 设备
显示, v
gs(th)
= 3 v
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
C
oss
C
iss
C
rss
MRF136Y
MRF136
T
C
= 25
°
C
400 mhz
400 mhz150 mhz
I
D
, 流 电流 (millamps)
I
D
, 流 电流 (放大器)
c, 电容 (pf)
V
GS
, 门-源 电压 (normalized)
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