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资料编号:1032693
 
资料名称:MRF160
 
文件大小: 122K
   
说明
 
介绍:
MOSFET BROADBAND RF POWER FET
 
 


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MRF160
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
drain–source 损坏 电压
(v
DS
= 0 vdc, v
GS
= 0 vdc, i
D
= 5.0 毫安)
V
(br)dss
65
Vdc
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 28 vdc, v
GS
= 0 v)
I
DSS
0.8
毫安
gate–source 泄漏 电流
(v
GS
= 40 vdc, v
DS
= 0 vdc)
I
GSS
1.0
µ
一个
在 特性
门 门槛 电压
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 10 毫安)
V
gs(th)
1.0 3.0 6.0
Vdc
流 源 on–voltage
(v
DS
(在)
, v
GS
= 10 vdc, i
D
= 500 毫安)
V
ds(在)
3.8
Vdc
向前 跨导
(v
DS
= 10 vdc, i
D
= 250 毫安)
g
fs
110 160
mS
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 28 vdc, v
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz)
C
iss
6.0
pF
输出 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0 vdc, f = 1.0 mhz)
C
oss
8.0
pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 28 vdc, v
GS
= 0 vdc, f = 1.0 mhz)
C
rss
0.8
pF
函数的 特性
一般 源 电源 增益
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 4.0 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 50 毫安)
G
ps
15 17
dB
流 效率
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 4.0 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 50 毫安)
η
45 50
%
电的 强壮
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 4.0 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 50 毫安)
ψ
非 降级 在 输出 电源
序列 相等的 输入 阻抗
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 4.0 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 50 毫安)
Z
5.23–j 27.2
Ohms
序列 相等的 输出 阻抗
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 4.0 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 50 毫安)
Z
输出
14.7–j 31.2
Ohms
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