mos 地方 效应 晶体管
np80n055cle, np80n055dle, np80n055ele
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
数据 薄板
文档 非. d14097ej3v0ds00 (3rd版本)
日期 发行 march 2001 ns cp(k)
打印 在 日本
这 mark
★
★★
★
显示 主要的 修订 点.
©
1999,2000
这 信息 在 这个 文档 是 主题 至 改变 没有 注意. 在之前 使用 这个 文档, 请
confirm 那 这个 是 这 最新的 版本.
不 所有 设备/类型 有 在 每 country. 请 审查 和 local nec 代表 为
有效性 和 额外的 信息.
DESCRIPTION
这些products 是 n-频道 mos 地方 效应
晶体管 设计 为 高 电流 切换
产品.
特性
•
频道 温度 175 degree 评估
•
超级的 低 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
= 11 m
Ω
最大值 (v
GS
= 10 v, i
D
= 40 一个)
R
ds(在)2
= 13 m
Ω
最大值 (v
GS
= 5 v, i
D
= 40 一个)
•
低 c
iss
: c
iss
= 2900 pf 典型值
•
建造-在 门 保护 二极管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 V
DSS
55 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 (直流)
Note1
I
d(直流)
±
80 一个
流 电流 (脉冲波)
Note2
I
d(脉冲波)
±
200 一个
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25 °c) P
T
1.8 W
总的 电源 消耗 (t
C
= 25 °c) P
T
120 W
单独的 avalanche 电流
Note3
I
作
45 / 30 / 10 一个
单独的 avalanche 活力
Note3
E
作
2.0 / 90 / 100 mJ
频道 温度 T
ch
175 °C
存储 温度 T
stg
–55 至 +175 °C
注释 1.
计算 常量 电流 符合 至 最大值容许的 频道
温度.
2.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
3.
开始 t
ch
= 25 °c, r
G
= 25
Ω
, v
GS
= 20 v
→
0 v (看 图示
4.)
热的 阻抗
频道 至 情况 R
th(ch-c)
1.25 °c/w
频道 至 包围的 R
th(ch-一个)
83.3 °c/w
订货 信息
部分 号码 包装
NP80N055CLE 至-220ab
NP80N055DLE 至-262
NP80N055ELE 至-263
(至-220ab)
(至-262)
(至-263)
: 点此下载
