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资料编号:103709
 
资料名称:80N055
 
文件大小: 79.49K
   
说明
 
介绍:
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14097ej3v0ds
2
np80n055cle, np80n055dle, np80n055ele
ELECTrical characteristics (t
一个
= 25 °c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= 10 v, i
D
= 40 一个 8.4 11 m
R
ds(在)2
V
GS
= 5 v, i
D
= 40 一个 10.3 13 m
R
ds(在)3
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 40 一个 11.3 15 m
门 至 源 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个 1.5 2.0 2.5 V
向前 transfer admittance | y
fs
|V
DS
= 10 v, i
D
= 40 一个 20 40 S
流 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= 55 v, v
GS
= 0 v 10
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±20 v, v
DS
= 0 v
±
10
µ
一个
输入 电容 C
iss
V
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz 2900 4400 pF
输出 电容 C
oss
380 570 pF
Reverse transfer 电容 C
rss
170 310 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
I
D
= 40
一个, v
gs(在)
= 10
v, v
DD
= 28
v, 22 48 ns
上升 时间 t
r
R
G
= 1
10 25 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
62 120 ns
下降 时间 t
f
11 27 ns
总的 门 承担 1 Q
G1
I
D
= 80
一个, v
DD
= 44
v, v
GS
= 10 v 50 75 nC
总的 门 承担 2 Q
G2
I
D
= 80
一个, v
DD
= 44
v, v
GS
= 5 v 26 39 nC
门 至 源 承担 Q
GS
12 nC
门 至 流 承担 Q
GD
15 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 80 一个, v
GS
= 0 v 1.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 80 一个, v
GS
= 0 v, di/dt = 100 一个/
µ
s50ns
反转 恢复 承担 Q
rr
100 nC
测试 电路 3 门 承担
V
GS
= 20
0 v
pg.
R
G
= 25
50
d.u.t.
L
V
DD
测试 电路 1 avalanche 能力
pg.
d.u.t.
R
L
V
DD
测试 电路 2 切换 时间
R
G
pg.
I
G
= 2 毫安
50
d.u.t.
R
L
V
DD
I
D
V
DD
I
V
DS
BV
DSS
开始 t
ch
V
GS
0
τ
= 1
µ
s
职责 循环
1%
τ
V
GS
波 表格
V
DS
波 表格
V
GS
V
DS
10%
0
0
90%
90%
90%
V
gs(在)
V
DS
t
t
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10% 10%
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