5
交流 电的 特性
(在 所有 温度 范围)
读 循环
程序 (擦掉/程序) 循环
参数
名字参数
-
70
-
9
0-
12
0
Unit最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
RC
读 循环 时间
70
—
90
—
—ns
t
AA
地址 进入 时间—
70
—
90
—
ns
t
ACS
碎片 使能 进入 时间—
70
—
90
—
ns
t
OE
输出 使能 进入 时间—
3
5—
4
5—
ns
t
CLZ
ce 低 至 输出 起作用的0—0—
—ns
t
OLZ
oe 低 至 输出 起作用的0—0—
—ns
t
DF
输出 使能 或者 碎片 使不能运转 至 输出
在 高 z
0
20
0
3
0
ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变0—0—
—ns
参数
名字参数
-
70
-
9
0-
120
Unit最小值.典型值.最大值.最小值.典型值.最大值.最小值.典型值.最大值
t
WC
程序 循环 时间
70
——
90
——
——ns
t
作
地址 建制 时间0——0————ns
t
AH
地址 支撑 时间
4
5——45——
——ns
t
CS
CE
建制 时间0——0————ns
t
CH
ce 支撑 时间0——0————ns
t
OES
OE
建制 时间0——0————ns
t
OEH
oe 高 支撑 时间0——0————ns
t
WP
我们 脉冲波 宽度
3
5——
4
5——
——ns
t
WPH
我们 脉冲波 宽度 高
35
——3
8
——
——ns
t
DS
数据 建制 时间2
5
——
30
——
——ns
t
DH
数据 支撑 时间0——0————ns
t
WHWH1
程序编制 循环——20——20—
u
s
t
WHWH2
sector 擦掉 循环——10——10—
—
ms
t
WHWH3
碎片 擦掉 循环—
3
——
3
———
s
SyncMOSTechnologies公司
S
29C5100
1
t/
S
29C5100
1
B
1
megabit (
131,072
x 8
位)
5VOLTcmos flash memoRY
S
29c51001t/
S
29C51001B
v1.0
二月
2003
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