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波形 的 ce 控制-程序 循环
波形 的 擦掉 循环
(1)
注释:
1.pa: 这 地址 的 这 记忆 location 至 是 编写程序.
2.pd:  这 数据 在 这 字节 地址 至 是 编写程序.
3.sa: 这 sector 地址 为 sector 擦掉. 地址 = don’t 小心 为 碎片 擦掉.
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S
29C51001B
v1.0
二月
2003

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7 波形的 ce 控制-程序循环波形的擦掉循环 (1) 注释: 1.pa: 这地址的这记忆 location 至是编写程序. 2.pd: 这数据在这字节地址至是编写程序. 3.sa: 这 sector 地址为 sector 擦掉. 地址 = don’t 小心为碎片擦掉. t WC t 作 t WHWH1 t WPH t OES t RC t AH t DS t DH t WP t DF t OH t OE D OUT i/o7 PD (2) A0H 51001-09 地址 5555HPAPA (1) 我们 OE CE i/o t WC t 作 t WPH 地址 CE OE 我们 i/o 5555H5555H5555H2AAAH2AAAHSA AAH55H80HAAH55H30H 10h 为碎片擦掉 51001-10 t AH t WP t DS t DH t CS SyncMOSTechnologies公司 S 29C5100 1 t/ S 29C5100 1 B 1 megabit ( 131,072 x 8 位) 5VOLTcmos flash memoRY S 29c51001t/ S 29C51001B v1.0 二月 2003

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