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tle 4279
半导体 组 10 1998-11-01
特性
(内容
’d)
V
I
= 13.5 v;
T
j
=
–
40
°
c<
T
j
< 125
°
C
参数 标识 限制 值 单位 测量
情况
最小值 典型值 最大值
延迟 时间 l
→
H
t
d
17 28
–ms
C
D
= 100 nF
延迟 时间 h
→
L
t
t
–1 –
µ
s
C
D
= 100 nF
切换 电压
V
re
1.26 1.35 1.44 V
V
Q
>3.5v
输入 电压 sense
sense 门槛 高
V
si, 高
1.24 1.31 1.38 V –
sence 门槛 低
V
si, 高
1.16 1.20 1.28 V –
sense 输出
低 电压
V
所以,低
–0.10.4v
V
SI
<1.20v;
V
I
>3v
R
extern
= 20 k
Ω
sense 输入 电流
I
SI
–
10.11
µ
一个
–

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tle 4279 半导体组 10 1998-11-01 特性 (内容 ’d) V I = 13.5 v; T j = – 40 ° c< T j < 125 ° C 参数标识限制值单位测量情况最小值典型值最大值延迟时间 l → H t d 17 28 –ms C D = 100 nF 延迟时间 h → L t t –1 – µ s C D = 100 nF 切换电压 V re 1.26 1.35 1.44 V V Q >3.5v 输入电压 sense sense 门槛高 V si, 高 1.24 1.31 1.38 V – sence 门槛低 V si, 高 1.16 1.20 1.28 V – sense 输出低电压 V 所以,低 –0.10.4v V SI <1.20v; V I >3v R extern = 20 k Ω sense 输入电流 I SI – 10.11 µ 一个 –

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