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半导体 组 13 1998-11-01
tle 4279
承担 电流
I
d
相比
温度
T
j
漏出 电压
V
dr
相比
输出 电流
I
Q
切换 电压
V
dt
和
V
st
相比
温度
T
j
重置 切换 门槛
V
re
相比 温度
T
j
AED01803
-40
Ι
d
04080120 C 160
0
Ι
V
= 13.5 v
2
4
6
8
10
12
14
16
一个
µ
1.0 v=
V
C
j
T
AED01805
0
V
dr
mV
0
=25C
Ι
Q
30 60 90 120 180mA
C125=
100
200
300
400
500
j
T
j
T
AED01804
-40
V
04080120 C 160
0
Ι
V
= 13.5 v
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
V
V
st
dt
V
D
j
T
AED01806
-40
V
re
04080120 C 160
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
V
j
T

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半导体组 13 1998-11-01 tle 4279 承担电流 I d 相比温度 T j 漏出电压 V dr 相比输出电流 I Q 切换电压 V dt 和 V st 相比温度 T j 重置切换门槛 V re 相比温度 T j AED01803 -40 Ι d 04080120 C 160 0 Ι V = 13.5 v 2 4 6 8 10 12 14 16 一个 µ 1.0 v= V C j T AED01805 0 V dr mV 0 =25C Ι Q 30 60 90 120 180mA C125= 100 200 300 400 500 j T j T AED01804 -40 V 04080120 C 160 0 Ι V = 13.5 v 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 V V st dt V D j T AED01806 -40 V re 04080120 C 160 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 V j T

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