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资料编号:1054305
资料名称:
2SD468
文件大小: 30.4K
说明
:
介绍
:
Silicon NPN Epitaxial
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SD468
3
最大 集电级 消耗 曲线
包围的 温度 ta (
°
c)
集电级 电源 消耗 p
C
(w)
0.8
1.2
0.4
0
50
100
150
典型 输出 特性
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
1,000
800
600
400
200
0
0.4
I
B
= 0
1mA
2
3
4
5
6
7
1.2
1.60.8
1.4
P
C
= 0.9 w
典型 转移 特性
根基 至 发射级 电压 v
是
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
0
1,000
300
100
30
10
3
1
0.4
0.80.2
0.6
1.0
V
CE
= 2 v
ta = 75
°
C
25
°
C
直流 电流 转移 比率 vs.
集电级 电流
集电级 电流 i
C
(毫安)
直流 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
= 2 v
ta = 75
°
C
25
°
C
5,000
2,000
1,000
500
200
100
50
20
10
5
1
10
100
1,0003
30
300
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