初步的 数据 薄板
1996©
文档 非. p10938ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 april 1996 p
打印 在 日本
硅 晶体管
2SC5336
npn 外延的 硅 晶体管
高 频率 低 扭曲量 放大器
特性 包装 维度
•
高 增益 (在 毫米)
| s
21
|
2
= 12 db 典型值, @f = 1 ghz, v
CE
= 10 v, ic = 20 毫安
•
新 电源 迷你-模型 包装 版本 的 一个 4-管脚 类型
增益-改进 在 这 2sc3357
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 °c)
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
20 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
12 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
3.0 V
集电级 电流 I
C
100 毫安
总的 电源 消耗
P
T
Note1
1.2 W
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
–65 至 +150
°
C
电的 特性 (t
一个
= 25
°
°°
°
c)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CB0
V
CB
= 10 v, i
E
= 0 1.0
µ
一个
发射级 截止 电流 I
EB0
V
EB
= 1 v, i
C
= 0 1.0
µ
一个
直流 电流 增益 h
FE
V
CE
= 10 v, i
C
= 20 毫安
Note2
50 120 250
增益 带宽 产品 f
T
V
CE
= 10 v, i
C
= 20 毫安 6.5 GHz
喂养-后面的 电容 C
re
V
CB
= 10 v, i
E
= 0, f = 1.0 mhz
Note3
0.5 0.8 pF
嵌入 电源 增益 | s
21e
|
2
V
CE
= 10 v, i
C
= 20 毫安, f = 1.0 ghz 12.0 dB
噪音 图示 NF V
CE
= 10 v, i
C
= 7 毫安, f = 1.0 ghz 1.1 dB
噪音 图示 NF V
CE
= 10 v, i
C
= 40 毫安, f = 1.0 ghz 1.8 3.0 dB
注释 2
. 脉冲波 度量 : pw
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2 %
3
. mesured 用 一个 3-终端 桥. 发射级 和 情况 应当 是 连接 至 这 守卫 终端.
h
FE
分类
分级 RH RF RE
标记 RH RF RE
h
FE
50 至 100 80 至 160 125 至
250
4.5±0.1
1.6±0.2
2.45±0.1
3.95±0.25
1.5±0.1
0.42
±0.06
0.46
±0.06
3.0
1.5
0.42
±0.06
0.8min.
C
EB E
管脚 连接
e: 发射级
c: 集电级
b: 根基
0.25±0.02
便条 1
. 0.7 mm
×
16 cm
2
翻倍 sided 陶瓷的 基质 (铜 镀层)
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