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资料编号:1057007
 
资料名称:2SK2053
 
文件大小: 60732K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2SK2053
2
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
= 16 v, v
GS
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
7.0 v, v
DS
= 0
±
3.0
µ
一个
门 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 3 v, i
D
向前 转移 admittance |y
fs
|V
DS
= 3 v, i
D
= 2.5 一个 4 S
流 至 源 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
V
GS
= 1.5 v, i
D
= 0.5 一个 0.19 0.40
流 至 源 在-状态 阻抗
R
ds(在)2
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 2.5 一个 0.08 0.15
流 至 源 在-状态 阻抗
R
ds(在)3
V
GS
= 4.0 v, i
D
= 2.5 一个 0.06 0.12
输入 电容 C
iss
V
DS
= 3 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz 730 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 3 v, i
D
= 2.5 一个, v
gs(在)
= 3 v, 85 ns
= 10
, r
L
= 1.2
450 ns
下降 时间 t
f
310 ns
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