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1998, 1999
mos 地方 效应 晶体管
2SK3204
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
文档 非. d13796ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 april 1999 ns cp (k)
打印 在 日本
数据 薄板
这 mark
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显示 主要的 修订 点.
描述
这 2sk3204 是 n-频道 mos 地方 效应 晶体管
设计 为 高 电流 切换 产品.
特性
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低 在-状态 阻抗 :
R
ds(在)1
= 34 m
Ω
(最大值.) (v
GS
= 10 v, i
D
= 8 一个)
R
ds(在)2
= 50 m
Ω
(最大值.) (v
GS
= 4 v, i
D
= 8 一个)
•
低 c
iss
:
C
iss
= 940 pf (典型值.)
•
建造-在 门 保护 二极管.
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 °c)
流 至 源 电压 V
DSS
60 V
门 至 源 电压 V
gss(交流)
±20 V
门 至 源 电压 V
gss(直流)
+20,
−
10 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±15 一个
流 电流 (脉冲波)
Note1
I
d(脉冲波)
±45 一个
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25 °c) P
T
1.8 W
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 T
stg
−
55 至 +150 °C
单独的 avalanche 电流
Note2
I
作
15 一个
单独的 avalanche 活力
Note2
E
作
22.5 mJ
注释 1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
2.
开始 t
ch
= 25
°c, r
G
= 25
Ω
, v
GS
= 20
V
→
0 v
热的 阻抗
频道 至 包围的 Rth
(ch-一个)
69.4 °c/w
这 信息 在 这个 文档 是 主题 至 改变 没有 注意. 在之前 使用 这个 文档, 请
confirm 那 这个 是 这 最新的 版本.
不 所有 设备/类型 有 在 每 country. 请 审查 和 local nec 代表 为
有效性 和 额外的 信息.
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订货 信息
部分 号码 包装
2SK3204 mp-10
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