M29F102BB
2/20
图示 2a. PLCC 连接
AI02131C
A14
A11
A7
A3
23
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
NC
A2
DQ12
DQ8
V
SS
NC
DQ11
DQ10
12
A15
A9
1
DQ15
V
SS
A12
DQ13
A5
44
NC
NC
M29F102BB
DQ14
A13
A4
NC
A6
34
DQ1
DQ9 A10
A8DQ7
DQ0
G
A0
A1
RP
E
W
V
CC
图示 2b. TSOP 连接
DQ6
DQ3
DQ2
DQ13
DQ8
DQ7
DQ10
DQ9
A14
A8
A11
A10
A4
A15
A9
G
A7
A2
DQ1
DQ0
A0
A1
A3
NC
W
E
DQ14
RP
V
CC
DQ15
AI02132C
M29F102BB
10
1
11
20 21
30
31
40
V
SS
A13
A12 A6
A5
DQ11
DQ12
DQ5
DQ4
V
SS
表格 1. 信号 Names
a0-a15 地址 输入
dq0-dq15 数据 输入/输出
E 碎片 使能
G 输出放 使能
W Write 使能
RP 重置/块 Temporary Unprotect
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
NC 不 连接 内部
SUMMARY 描述
这 M29F102BB 是 一个 1 Mbit (64kb x16) 非-vola-
tile 记忆 那 能 是 读, erased 和 repro-
grammed. 这些 行动 能 是 执行
使用 一个 单独的 5V 供应. 在 电源-向上 这 memo-
ry defaults to 它的 读 模式 在哪里 它 能 是 读
在 这 一样 方法 作 一个 只读存储器 或者 非易失存储器.
这 记忆 是 分隔 在 blocks 那 能 是
erased independently 所以 它 是 可能 至 preserve
有效的 数据 当 old 数据 是 erased. 各自 块 能
是 保护 independently 至 阻止 意外的
程序 或者 擦掉 commands 从 modifying the
记忆. 程序 和 擦掉 commands 是 writ-
ten 至 这 Command 接口 的 这 记忆. 一个
在-碎片 程序/擦掉 控制 使简化 这
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