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处理 的 程序编制 或者 erasing 这 记忆 用
带去 小心 的 所有 的 这 特定的 行动 那 是
必需的 至 更新 这 记忆 内容. 这 终止
的 一个 程序 或者 擦掉 运作 能 是 发现
和 任何 错误 情况 identified. 这 command
设置 必需的 至 控制 这 记忆 是 consistent
和 电子元件工业联合会 standards.
这 blocks 在 这 记忆 是 asymmetrically ar-
ranged, 看 表格 3, 块 地址. 这 第一 32
Kwords 有 被 分隔 在 f我们的 额外的
blocks. 这 8 Kword 激励 块 能 是 使用 为
小 initialization 代号 至 开始 这 microproces-
sor, 这 二 4 Kword 参数 Blocks 能 是
使用 为 参数 storage 和 这 remaining 16
Kwords 是 一个 小 主要的 块 在哪里 这 applica-
tion 将 是 贮存.
碎片 使能, 输出 使能 和 写 使能 sig-
nals 控制 这 总线 运作 的 这 记忆.
它们 准许 简单的 连接 至 大多数 micropro-
cessors, 常常 没有 额外的 逻辑.
这 记忆 是 offered 在 PLCC44 和 TSOP40
(10 x 14mm) 包装. 进入 时间 的 35ns,
45ns, 50ns, 55ns 和 70ns 是 有. 这
记忆 是 有提供的 和 所有 the 位 erased (设置 至
’1’).
信号 描述
看 图示 1, 逻辑 图解, 和 表格 1, 信号
names, 为 一个 brief overview 的 这 信号 连接-
ed 至 这个 设备.
地址 输入 (a0-a15).
这 地址 输入
选择 这 cells 在 这 记忆 排列 至 进入 dur-
ing 总线 读 行动. 在 总线 写 opera-
tions 它们 控制 这 commands sent 至 这
Command 接口 的 这 内部的 状态 机器.
数据 输入/输出 (dq0-dq15).
这 数据 在-
puts/输出 输出 这 数据 贮存 在 这 选择
地址 在 一个 总线 读 运作. 在 总线
写 行动 dq0-dq7 代表 这 com-
mands sent 至 这 Command 接口 的 这 inter-
nal 状态 机器; 这 Command 接口 做
不 使用 dq8-dq15 至 decode 这 commands.
碎片 使能 (e).
这 碎片 使能, e, activates
这 记忆, 准许 总线 读 和 总线 写 运算-
erations 至 是 执行. 当 碎片 使能 是
高, V
IH
, 所有 其它 管脚 是 ignored.
输出 使能 (g).
这 输出 使能, g, con-
trols 这 总线 读 运作 的 这 记忆.
写 使能 (w).
这 写 使能, w, 控制
这 总线 写 运作 的 这 memory’s com-
mand 接口.
表格 2. 绝对 最大 比率
(1)
便条: 1. 除了 为 这 比率 ”Operating 温度 range”, 压力 在之上 那些 listed 在 这 表格 ”Absolute 最大 Ratings” 将
导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 表明 在 这 运行 sections 的 这个 规格 是 不 implied. 暴露 至 一个bsolute 最大 比率 condi-
tions 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 谈及 也 至 这 意法半导体 确信 程序 和 其它 相关的 qual-
ity documents.
2. 最小 电压 将 undershoot 至 –2V 在 转变 和 为 较少 than 20ns 在 transitions.
标识 参数 值 单位
T
一个
包围的 运行 温度 0 至 70
°
C
T
偏差
温度 下面 偏差 –50 至 125
°
C
T
STG
存储 温度 –65 至 150
°
C
V
IO
(2)
输入 或者 输出 电压 –0.6 至 6 V
V
CC
供应 电压 –0.6 至 6 V
V
ID
Identification 电压 –0.6 至 13.5 V
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