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bc 857s
半导体 组
May-12-19981
pnp 硅 af 晶体管 排列
•
为 af 输入 stages 和 驱动器 产品
•
高 电流 增益
•
低 集电级-发射级 饱和 电压
•
二 ( galvanic) 内部的 分开的 晶体管
和 高 相一致 在 一个 包装
类型 标记 订货 代号 管脚 配置 包装
bc 857s 3Cs q62702-c2373
1/4=e1/e2 2/5=b1/b2 3/6=c2/c1
sot-363
最大 比率
参数
值标识 单位
V
V
CEO
45集电级-发射级 电压
集电级-根基 电压
V
CBO
50
集电级-发射级 电压 50
V
CES
5发射级-根基 电压
V
EBO
毫安
I
C
100直流 集电级 电流
顶峰 集电级 电流
I
CM
200
总的 电源 消耗,
T
S
= 115 °c
mW250
P
tot
150接合面 温度 °C
T
j
存储 温度
T
stg
- 65...+150
热的 阻抗
接合面 包围的
1)
R
thJA
≤
275 k/w
接合面 - 焊接 要点
R
thJS
≤
140
1) 包装 挂载 在 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm
2
Cu

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bc 857s 半导体组 May-12-19981 pnp 硅 af 晶体管排列 • 为 af 输入 stages 和驱动器产品 • 高电流增益 • 低集电级-发射级饱和电压 • 二 ( galvanic) 内部的分开的晶体管和高相一致在一个包装类型标记订货代号管脚配置包装 bc 857s 3Cs q62702-c2373 1/4=e1/e2 2/5=b1/b2 3/6=c2/c1 sot-363 最大比率参数值标识单位 V V CEO 45集电级-发射级电压集电级-根基电压 V CBO 50 集电级-发射级电压 50 V CES 5发射级-根基电压 V EBO 毫安 I C 100直流集电级电流顶峰集电级电流 I CM 200 总的电源消耗, T S = 115 °c mW250 P tot 150接合面温度 °C T j 存储温度 T stg - 65...+150 热的阻抗接合面包围的 1) R thJA ≤ 275 k/w 接合面 - 焊接要点 R thJS ≤ 140 1) 包装挂载在 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm 2 Cu

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