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半导体 组 129
电的 特性
(内容’d)
在
T
j
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
快-恢复 反转 二极管
持续的 反转 流 电流
T
C
= 25  ˚c
I
S
––18
一个
搏动 反转 流 电流
T
C
= 25  ˚c
I
SM
––72
二极管 向前 在-电压
I
F
= 36 一个 ,
V
GS
= 0
V
SD
– 1.2 1.6
V
反转 恢复 时间
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 一个/
µ
s,
V
R
= 100 v
T
j
= 25 ˚c
T
j
= 150 ˚c
t
rr
–
–
220
350
300
500
ns
反转 恢复 承担
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 一个/
µ
s,
V
R
= 100 v
T
j
= 25 ˚c
T
j
= 150 ˚c
Q
rr
–
–
1.5
8.5
2.5
13
µ
C
repetitive 顶峰 反转 电流
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 一个/
µ
s,
V
R
= 100 v
T
j
= 25 ˚c
T
j
= 150 ˚c
I
RRM
–
–
12
30
–
–
一个
bsm 294 f

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半导体组 129 电的特性 (内容’d) 在 T j = 25 ˚c, 除非否则指定. 参数标识值单位最小值典型值最大值快-恢复反转二极管持续的反转流电流 T C = 25 ˚c I S ––18 一个搏动反转流电流 T C = 25 ˚c I SM ––72 二极管向前在-电压 I F = 36 一个 , V GS = 0 V SD – 1.2 1.6 V 反转恢复时间 I F = I S , d i F /d t = 100 一个/ µ s, V R = 100 v T j = 25 ˚c T j = 150 ˚c t rr – – 220 350 300 500 ns 反转恢复承担 I F = I S , d i F /d t = 100 一个/ µ s, V R = 100 v T j = 25 ˚c T j = 150 ˚c Q rr – – 1.5 8.5 2.5 13 µ C repetitive 顶峰反转电流 I F = I S , d i F /d t = 100 一个/ µ s, V R = 100 v T j = 25 ˚c T j = 150 ˚c I RRM – – 12 30 – – 一个 bsm 294 f

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