半导体 组 5 1998-02-01
tle 5203
输出 短接 至 +
V
S
和 超载 发现
一个 内部的 电路 发现 如果 这 电流 通过 这 低 一侧 晶体管 是 高等级的 比 4 一个
典型值 在 这个 情况 所有 输出 是 转变 止 之后 40
µ
s 和 这 错误 标记 ef 是 设置 至
地面.
在 一个 接合面 温度 高等级的 比 160
°
c 这 热的 关闭 转变 止, 所有 四
输出 stages commonly 和 这 错误 标记 是 设置 没有 一个 延迟.
打开 加载 发现
这 输出 q1 有 一个 10 k
Ω
拉-向上 电阻 和 这 输出 q2 有 一个 10 k
Ω
拉-向下
电阻. 如果 e1 和 e2 是 高, 所有 输出 电源 stages 是 转变-止. 在 情况 的 非
加载 在 q1 和 q2 这 输出 电压 q1 是
V
S
和 q2 是 地面. 这个 状态 将
是 发现 用 二 comparators 和 一个 错误 标记 将 是 设置 之后 一个 延迟 时间 的 40
µ
s.
changing 这 输入 resets 这 错误 flip flop.
Diagnosis
输入 输出 Diagnosis EF
E1 E2 Q1 Q2 短接
至 地
短接
至
V
S
超载 打开 加载
L L H L Q1 Q2 X
–L
L H L H Q2 Q1 X – L
H LLL– q1, q2 – – L
HHZZ–––XL
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