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资料编号:1067803
 
资料名称:IRFR410
 
文件大小: 57018K
   
说明
 
介绍:
1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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4-402
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
irfr410, irfu410 单位
流 至 源 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DS
500 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
Ω)
(便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
500 V
持续的 流 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
T
C
= 100
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
1.5
1.2
一个
一个
搏动 流 电流 (便条 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
3.0 一个
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GS
±
20 V
最大 电源 消耗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .p
D
42 W
直线的 减额 因素. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.33 w/
o
C
单独的 脉冲波 avalanche 比率 (看 图示 5) (便条 4) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .e
谈及 至 uis 曲线 mJ
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
J
, t
STG
-55 至 150
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 125
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 500 - - V
温度 系数 的
损坏 电压
b-
V
DSS
/
T
J
涉及 至 25
o
c, i
D
= 250
µ
一个 - 0.61 - v/
o
C
门 至 源 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 2-4v
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 500v, v
GS
= 0v - - 25
µ
一个
V
DS
= 500v, v
GS
= 0v, t
J
= 125
o
C - - 250
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
流 至 源 在 阻抗 (便条 3) r
ds(在)
I
D
= 1.5a, v
GS
= 10v, (图示 9) - - 7.000
向前 跨导 (便条 3) g
fs
V
DS
= 50v, i
DS
= 0.75a, (图示 8) 0.5 - - S
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 250v, I
D
1.5a, R
GS
=24
,r
L
= 167
,
场效应晶体管 切换 时间 是 essentially
独立 的 运行 温度
-7-ns
上升 时间 t
r
-10-ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-24-ns
下降 时间 t
f
-15-ns
总的 门 承担 Q
g(tot)
VGS = 10v, ID
1.5a, VDS = 0.8 x 评估 BV
DSS
,
(图示 12)
门 承担 是 essentially 独立 的
运行 温度
- 9 12 nC
门 至 源 承担 Q
gs
- 1.1 1.4 nC
门 至 流 “miller” 承担 Q
gd
-57nc
输入 电容 C
ISS
V
GS
= 0v, v
DS
= 25v, f = 1.0mhz,
(图示 10)
- 210 - pF
输出 电容 C
OSS
-30-pf
反转 转移 电容 C
RSS
-7-pf
irfr410, irfu410
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