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事件 定义:
0: 这 bq2058T 是 在 这 低-电源 睡眠 模式 因为 一个 或者 更多 的 这 cell 电压 是 在下 V
UV
.
1: 一个 charger 是 应用 至 这 包装, 造成 这 区别 在 CSL 和 BAT
2N
至 变为 更好
比 70mv. 这个 awakens 这 bq2058t, 和 这 释放 管脚 DSG 变得 高.
2: 一个 或者 更多 cells 承担 至 一个 电压 equal 至 V
OV
, 初始的 这 超（电）压 延迟 计时器.
3: 这 超（电）压 延迟 时间 expires, 造成 CHG 至 go 至 高 阻抗 (牵引的 低 externally).
4: 所有 cell 电压 下降 在下 V
CE
, 造成 CHG 至 go 高.
5: 停止 charging, 应用 一个 加载.
6: 一个 overcurrent 情况 是 发现, 初始的 这 overcurrent 延迟 计时器.
7: 这 overcurrent 延迟 时间 expires, 造成 DSG 至 go 低.
8: 这 overcurrent 情况 是 非 变长 呈现. DSG 是 驱动 高.
9: 管脚 CTL 是 驱动 高; 两个都 DSG 和 CHG go inactive.
10: 管脚 CTL 是 驱动 低; 两个都 DSG 和 CHG go 起作用的 resuming 它们的 正常的 函数.
11: 一个 或者 更多 cells 下降 在下 V
UV
, 初始的 这 overdischarge 延迟 计时器.
12: Once 这 overdischarge 延迟 计时器 expires, 如果 任何 的 这 cells 是 在下 V
UV
, 这 bq2058T 驱动
DSG 低 和 enters 这 低-电源 睡眠 模式.
July 15, 1997
bq2058T
td2058t1.eps
cell 电压
V
OV
CSL
DSG
CHG
CTL
V
CE
V
UV
0
1 2 3 4 65 7 8 9 10 11 12
BAT
2N
+ 160mv (v
OCL
)
BAT
2N
- 70mv (v
CD
)
t
UVD
t
OCD
t
OVD
图示 3. Protector 事件 图解
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