hb56hw164db 序列, hb56hw165db 序列
12
读, 写, 读-modify-写 和 refresh 循环 (一般 parameters)
60 ns 70 ns
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
随机的 读 或者 写 循环 时间 t
RC
104 — 124 — ns
RAS
precharge 时间 t
RP
40 — 50 — ns
CAS
precharge 时间 t
CP
10 — 13 — ns
RAS
脉冲波 宽度 t
RAS
60 10000 70 10000 ns
CAS
脉冲波 宽度 t
CAS
10 10000 13 10000 ns
行 地址 建制 时间 t
ASR
0—0—ns
行 地址 支撑 时间 t
RAH
10 — 10 — ns
column 地址 建制 时间 t
ASC
0—0—ns
column 地址 支撑 时间 t
CAH
10 — 13 — ns
RAS
至
CAS
延迟 时间 t
RCD
20 45 20 52 ns 3
RAS
至 column 地址 延迟 时间 t
RAD
15 30 15 35 ns 4
RAS
支撑 时间 t
RSH
15 — 18 — ns
CAS
支撑 时间 t
CSH
40 — 45 — ns
CAS
至
RAS
precharge 时间 t
CRP
5—5—ns
OE
至 din 延迟 时间 t
OED
15 — 18 — ns 5
OE
延迟 时间 从 din t
DZO
0—0—ns6
CAS
延迟 时间 从 din t
DZC
0—0—ns6
转变 时间 (上升 和 下降) t
T
2 50 2 50 ns 7
refresh 时期
(hb56hw164db: 4,096 循环)
t
REF
— 64 — 64 ms
refresh 时期 (hb56hw164db:
4,096 循环) (l-版本)
t
REF
— 128 — 128 ms
refresh 时期
(hb56hw165db: 1,024 循环)
t
REF
— 16 — 16 ms
refresh 时期 (hb56hw165db:
1,024 循环) (l-版本)
t
REF
— 128 — 128 ms
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